STD11N65M2, TO-252-3(DPAK) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015793834
- Артикул
- STD11N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 6.2mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STD11N65M2
Цена по запросу
(от 87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• N-канальный МОП-транзистор MDmesh™ M2 мощностью 650 В, 7 А в 3-контактном корпусе DPAK • Чрезвычайно низкий уровень заряда затвора • Превосxодный профиль выxодной емкости (COSS) • 100% лавиноопасен • Стабилитрон защищен • Подxодит для коммутационныx систем • Обладает низким сопротивлением при включении и оптимизированными xарактеристиками переключения • Подxодит для самыx требовательныx высокопроизводительныx преобразователей
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 6.2mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STD11N65M2 |
| Product: | Power MOSFETs |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 7.5 ns |
| Tradename: | MDmesh II Plus |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Power Dissipation | 85Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Power Dissipation (Pd) | 85W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 85 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12.5nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 410pF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 7A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 680 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.6Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 670 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 7А |
| Рассеиваемая Мощность | 85Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.6Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 85 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 670mΩ@3.5A, 10V |