STD11N60M6 Type N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N60M6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014549135
- Артикул
- STD11N60M6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- STD11N60M6
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 660 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теxнология STMicroelectronics MDmesh M6 включает в себя самые последние достижения в xорошо известном и консолидированном семействе MDmesh МОП-транзисторов SJ.
Технические параметры
| Series | STD11N60M6 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 90Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.5 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.5Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Линейка Продукции | MDmesh M6 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Рассеиваемая Мощность | 90Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.5Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |