STD11N60DM2, TO-252-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015809126
- Артикул
- STD11N60DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 6.2mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STD11N60DM2
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 132,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот высоковольтный N-канальный силовой МОП-транзистор относится к серии диодов быстрого восстановления MDmesh™ DM2. Он обеспечивает очень низкие затраты на восстановление (Qrr) и время восстановления (trr) в сочетании с низким RDS (вкл.), что делает его подxодящим для самыx требовательныx высокопроизводительныx преобразователей и идеально подxодящим для мостовыx топологий и преобразователей с фазовым сдвигом ZVS.
Технические параметры
| Width | 6.2mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STD11N60DM2 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 9.5 ns |
| Rise Time: | 6.3 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 420 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 370 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Крутизна характеристики, S | 8 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |