STD110N8F6, Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002210699
- Артикул
- STD110N8F6
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Type
- STripFET
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 6.6 mm
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 80 В, 80 А, 175°C, 167 Вт; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 80 А; Напряжение источника стока Vds: 80 В; Сопротивление Rds(включено): 0,0056 Ом; Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:4
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | STripFET |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 6.6 mm |
| Height | 2.4 mm |
| Length | 10.1 mm |
| Product | Power MOSFET |
| Fall Time | 48 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 61 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 150 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 167 W |
| Power Dissipation (Pd) | 167W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 150nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time | 24 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 162 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 9.13nF@40V |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V to 4.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.5mΩ@40A, 10V |