Моя заявка (0)

STD10NM60N, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 5А, 70Вт, DPAK

STD10NM60N, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 5А, 70Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014887156
Артикул
STD10NM60N
Бренд
STMicroelectronics
RDS-on
550@10V mOhm
Тип
MOSFET
Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.48
Цена по запросу
(от 140,06 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 5А, 70Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

RDS-on550@10V mOhm
ТипMOSFET
MountingSurface Mount
Вес, г0.48
СерияSTD10NM60N
Lead FinishMatte Tin
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Мощностьрассеиваемая(max)-70 Вт
ОписаниеN-Channel 600 V 10A(Tc)70W(Tc)Surface Mount DPAK
УпаковкаREEL, 2000 шт.
Typical Fall Time15 ns
Typical Rise Time12 ns
Max Processing Temp260I300
Емкость, пФ550
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-4 В
ТехнологияSi
Operating Temperature-55 to 150 °C
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада15 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Typical Turn-On Delay Time10 ns
Maximum Gate Source Voltage±25 V
Typical Turn-Off Delay Time32 ns
Способ монтажаповерхностный(SMT)
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора19 nC
Время нарастания12 ns
Тип проводимостиN
Maximum Continuous Drain Current10 A
Заряд затвора, нКл19
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности70 W
Id - непрерывный ток утечки10 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Rds Вкл - сопротивление сток-исток550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А10
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±25 В
Типичное время задержки выключения32 ns
Транспортная упаковка: размер/кол-во60*50*50/2000
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм550

Техническая документация