STD10NF30, TO-252-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015809990
- Артикул
- STD10NF30
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 0.4
- Серия
- STD10NF30
- Корпус
- TO-252
Цена по запросу
(от 389 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 0.4 |
| Серия | STD10NF30 |
| Корпус | TO-252 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 103W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 23nC@10V |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 780pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 103 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Коммерческое обозначение | MESH OVERLAY |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 330 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 103 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 330mΩ@5A, 10V |