Моя заявка (0)

STD10NF10T4, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 13A 50Вт 0,13Ом TO252

STD10NF10T4, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 13A 50Вт 0,13Ом TO252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024644331
Артикул
STD10NF10T4
Бренд
STMicroelectronics
Width
6.2mm
Series
STripFET
Pin Count
3
Вес, г
0.8
Цена по запросу
(от 74 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 13A 50Вт 0,13Ом TO252 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width6.2mm
SeriesSTripFET
Pin Count3
Вес, г0.8
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Корпусto252
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-МОП
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation50 W
Typical Gate Charge @ Vgs15.3 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance130 mΩ
Maximum Continuous Drain Current13 A
Пороговое напряжение на затворе2.5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0, 13Ом

Техническая документация