STD10N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 4,9А, 85Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887740
- Артикул
- STD10N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- null
- Вес, г
- 2
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 85Вт
Цена по запросу
(от 132,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
600 В 7,5 А 85 Вт 600 Мом при 3 А, 10 В 4 В при 250uA нулевые МОП-транзисторы DPAK ROHS
Технические параметры
| Type | null |
| Вес, г | 2 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 85Вт |
| Структура | N-МОП |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 85W |
| Особенности | - |
| Квалификация | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13.5nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 400pF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 7.5A |
| Drain Source On State Resistance | 0.55Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh M2 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 7.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 85Вт |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 600mΩ@3A, 10V |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.55Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 85 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 600mΩ@3A, 10V |