STD10N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827896
- Артикул
- STD10N60DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.43
- Серия
- STD10N60DM2
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 162,25 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power МОП-транзистор in a TO-220FP package
Технические параметры
| Вес, г | 0.43 |
| Серия | STD10N60DM2 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 11.5 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Время нарастания | 5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 109 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 440 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 440 мОм |