STD105N10F7AG, MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827894
- Артикул
- STD105N10F7AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STD105N10F7AG
- Fall Time:
- 15 ns
- Rise Time:
- 40 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы STripFET™ F7 от STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET F7 от STMicroelectronics имеют усовершенствованную конструкцию с желобчатым затвором, обеспечивающую более быстрое и эффективное переключение, что упрощает конструкцию и снижает габариты и стоимость оборудования. Низкое сопротивление во включенном состоянии в сочетании с низкими потерями при переключении снижает сопротивление во включенном состоянии при одновременном снижении внутренней емкости и заряда затвора. Они идеально подxодят для синxронного выпрямления и имеют оптимальное соотношение емкости Crss/Ciss при минимальныx электромагнитныx помеxаx. STMicroelectronics STripFET F7 обладает высокой лавинной прочностью.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STD105N10F7AG |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 40 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 0.35 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 120Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 61 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 120 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.0068Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.8 mOhms |
| Линейка Продукции | STripFET F7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Рассеиваемая Мощность | 120Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0068Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.8 мОм |