STD100N10F7, MOSFETs N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007243637
- Артикул
- STD100N10F7
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 6.2mm
- Series
- STripFET H7
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 251,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 120Вт 0,008Ом TO252 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Width | 6.2mm |
| Series | STripFET H7 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0068мОм |