Моя заявка (0)
STB9NK90Z, MOSFETs N Ch 900V 1.1 8A Zener SuperMESH

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004827865
Артикул
STB9NK90Z
Бренд
STMicroelectronics
HTS
COMPONENTS
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Цена по запросу
(от 578,96 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTSCOMPONENTS
TabTab
PPAPNo
SVHCYes
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г4
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width9.35(Max)
Package Height4.6(Max)
Package Length10.4(Max)
EDA / CAD ModelsSTB9NK90Z by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
СтруктураMOSFET
Standard Package NameTO-263
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)28|11
Typical Rise Time (ns)13
Особенностивысоковольтный
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)160000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)72
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)72@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)22
Maximum Drain Source Voltage (V)900
Typical Turn-Off Delay Time (ns)55
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)8
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2115@25V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)1300@10V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В