STB8NM60T4, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8360796622
- Артикул
- STB8NM60T4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- null
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 439 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
650 В 8 А 1Ohm@2.5A, 10 В 100 Вт 5 В при 250uA нулевые МОП-транзисторы D2PAK ROHS
Технические параметры
| Type | null |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 1.92 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Power Dissipation (Pd) | 100W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 18nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 400pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 900 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1Ω@2.5A, 10V |