STB8N90K5, 900V 8A 680m @10V 130W 5V@100uA 1 N-Channel D2PAK MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061869978
- Артикул
- STB8N90K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STB8N90K5
- Fall Time:
- 13.5 ns
- Rise Time:
- 13.2 ns
Цена по запросу
(от 429,72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 Серия STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RD(on) и отличающимися повышенной плотностью мощности и КПД. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STB8N90K5 |
| Fall Time: | 13.5 ns |
| Rise Time: | 13.2 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1.99 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 600 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |