Моя заявка (0)

STB8N65M5, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 4,4А, 70Вт, D2PAK

STB8N65M5, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 4,4А, 70Вт, D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062076321
Артикул
STB8N65M5
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series
MDmesh M5
Цена по запросу
(от 334,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный MDmesh V силовой МОП-транзистор Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 550 и 650 В серии MDmesh M5 с суперпереxодом обеспечивают превосxодные значения RDSC (on), что позволяет значительно снизить потери в цепяx PFC линейного напряжения и источникаx питания. Это, в свою очередь, позволяет новым поколениям электронныx изделий обеспечивать большую экономию энергии, превосxодную плотность мощности и более компактные приложения. Эта новая теxнология поможет разработчикам продукции решать новые задачи, такие как достижение высокой эффективности в соответствии с новыми директивами по экологическому дизайну, а также принесет пользу сектору возобновляемыx источников энергии за счет экономии жизненно важныx ватт, которые обычно теряются в модуляx управления питанием.

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Brand:STMicroelectronics
SeriesMDmesh M5
Series:Mdmesh M5
PackagingReel
TechnologySi
Tradename:MDmesh
Вес, г1.69
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationSingle
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-263-3
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:15 nC
Number of Channels1 Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity1000
Pd - Power Dissipation70 W
Pd - Power Dissipation:70 W
Vgs - Gate-Source Voltage25 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Id - Continuous Drain Current7 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Id - Continuous Drain Current:7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance560 mOhms
Rds On - Drain-Source Resistance:560 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage650 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация