STripFET II N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin D2PAK STB80NF55L-06T4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031066740
- Артикул
- STB80NF55L-06T4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 9.35mm
- Series
- STripFET II
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 3.7
Цена по запросу
(от 1 160 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы STripFET™ с широким диапазоном пробивныx напряжений обеспечивают сверxнизкий заряд затвора и низкое сопротивление при включении.
Технические параметры
| Width | 9.35mm |
| Series | STripFET II |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3.7 |
| Длина | 10.4 mm |
| Серия | STB80NF55L-06 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Высота | 4.6 mm |
| Ширина | 9.35 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RoHS Compliant | Yes |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 80 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 100 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7 mΩ |
| Время нарастания | 180 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.005Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 135 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.005Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |