Моя заявка (0)

STB80NF55-06T4, Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

STB80NF55-06T4, Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001119714
Артикул
STB80NF55-06T4
Бренд
STMicroelectronics
Type:
MOSFET
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STB80NF55, STP80NF55
Fall Time:
65 ns
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:STMicroelectronics
Series:STB80NF55, STP80NF55
Fall Time:65 ns
Rise Time:155 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:189 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:300 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:27 ns
Typical Turn-Off Delay Time:125 ns
Id - Continuous Drain Current:80 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:150 S
Rds On - Drain-Source Resistance:6.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:55 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация