STB80N4F6AG, MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET i
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062921762
- Артикул
- STB80N4F6AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 3.96
- Серия
- STB80N4F6AG
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 263,67 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор LGS LV МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 3.96 |
| Серия | STB80N4F6AG |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 11.9 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 36 nC |
| Время нарастания | 7.6 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 46.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |