STB80N20M5,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 61 A, 0.019 ohm, TO-262, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000345703
- Артикул
- STB80N20M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- N-Channel MDmesh V Power MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STB80N20M5
- Military
- No
Цена по запросу
(от 1 670 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type: | N-Channel MDmesh V Power MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STB80N20M5 |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 176 ns |
| Rise Time: | 31 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 104 nC |
| Process Technology | MDmesh |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 66 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 131 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Id - Continuous Drain Current: | 61 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.6 S |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 190000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 104 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 104@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??25 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 200 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 61 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 4329@50V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 23@10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 61 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.019 Ом |