Моя заявка (0)

STB75NF75T4, Транзисторы и сборки MOSFET TO263

STB75NF75T4, Транзисторы и сборки MOSFET TO263

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064268253
Артикул
STB75NF75T4
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STB75NF75
Fall Time:
30 ns
Rise Time:
100 ns
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STB75NF75
Fall Time:30 ns
Rise Time:100 ns
Tradename:STripFET
Вес, г2.06
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:160 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:300 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:66 ns
Id - Continuous Drain Current:80 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:20 S
Rds On - Drain-Source Resistance:11 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:75 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация