STB75NF75LT4, Транзистор N-МОП, полевой, 75В 75A 300Вт 0.011Ом D PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014886699
- Артикул
- STB75NF75LT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- D2PAK
- Width
- 9.35mm
- Series
- STripFET II
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 249 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы STripFET™ с широким диапазоном пробивныx напряжений обеспечивают сверxнизкий заряд затвора и низкое сопротивление при включении.
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Width | 9.35mm |
| Series | STripFET II |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Technology | SuperMesh™ |
| Вес, г | 1.67 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 70A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 300W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±15V |
| On-state resistance | 13mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 75V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 75 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -15 V, +15 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 11 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 75 A |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |