Транзистор полевой STB6NK60ZT4 MOSFET N-Ch 600V 6A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070018138
- Артикул
- STB6NK60ZT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 1.5
- Мощность
- рассеиваемая(max)-110 Вт
- Описание
- N-Channel 600 V 6A(Tc)110W(Tc)Surface Mount D2PAK
Цена по запросу
(от 650 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор STB6NK60ZT4 — изделие серии STB6. Характеристики Обозначение: STB6NK60ZT4 Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET N-Ch 600V 6A Масса: 1.5 г Производитель: ST Единица измерения: шт
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 1.5 |
| Мощность | рассеиваемая(max)-110 Вт |
| Описание | N-Channel 600 V 6A(Tc)110W(Tc)Surface Mount D2PAK |
| Упаковка | REEL, 1000 шт. |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Емкость, пФ | 905 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4 В |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Тип проводимости | N |
| Заряд затвора, нКл | 46 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 6 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 600 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 1200 |