STB6N60M2, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003364452
- Артикул
- STB6N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STB6N60M2
- Fall Time:
- 22.5 ns
- Rise Time:
- 7.4 ns
Цена по запросу
(от 440 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Trans МОП n-кан 600В 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/Ом
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STB6N60M2 |
| Fall Time: | 22.5 ns |
| Rise Time: | 7.4 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1.38 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 60Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 1.06Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.06 Ohms |
| Линейка Продукции | MDmesh M2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 60Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.06Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.06 Ом |