STB5N80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827841
- Артикул
- STB5N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh K5
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 227,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh K5 |
| FET Type | N-Channel |
| Fall Time | 14.8 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 11.7 ns |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | Si |
| Вес, г | 2.2 |
| Серия | STB5N80K5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 5 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 14.8 ns |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 2A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 60W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-263(D2PAK) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 12.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 23 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Qg - заряд затвора | 5 nC |
| Время нарастания | 11.7 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.5 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 177 pF @ 100 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом |