STB4NK60ZT4, MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827836
- Артикул
- STB4NK60ZT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- 1PCSNChannel
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 1.81
- Длина
- 10.4 mm
Цена по запросу
(от 210,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 1.81 |
| Длина | 10.4 mm |
| Серия | STB4NK60ZT4 |
| Высота | 4.6 mm |
| Ширина | 9.35 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 16.5 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 70W |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 26nC@10V |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 510pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Время нарастания | 9.5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@50uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 30 V, +30 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ohms |