Моя заявка (0)

STB46N30M5,Power MOSFET, N Channel, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

STB46N30M5,Power MOSFET, N Channel, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003256827
Артикул
STB46N30M5
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
Unknown
SVHC
Yes
Grade
Automotive
Цена по запросу
(от 2 090 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 300 В 53 А (Tc) 250 Вт (Tc) для поверxностного монтажа TO-263 (D2PAK)

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
SVHCYes
GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
Vgs (Max)±25V
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1.38
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-263
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package Width9.35(Max)
QualificationAEC-Q101
Package / CaseTO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB
Package Length10.4(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyMDmesh V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature150°C(TJ)
Standard Package NameTO-263
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 26.5A, 10V
SVHC Exceeds ThresholdYes
Особенности-
Power Dissipation (Max)250W(Tc)
Supplier Device PackageTO-263(D2PAK)
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Maximum Power Dissipation (mW)250000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)95@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±25
Maximum Drain Source Voltage (V)300
Maximum Gate Threshold Voltage (V)5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4240 pF @ 100 V
Maximum Continuous Drain Current (A)53
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)4240@100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)40@10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C53A(Tc)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А53
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт250
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.037 Ом

Техническая документация