Моя заявка (0)

STB46N30M5, Trans MOSFET N-CH 300V 53A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

STB46N30M5, Trans MOSFET N-CH 300V 53A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002198829
Артикул
STB46N30M5
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
Unknown
SVHC
Yes
Grade
Automotive
Цена по запросу
(от 1 030 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 300V 53A Автомобильный AEC-Q101 3-контактный (2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
SVHCYes
GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
Vgs (Max)±25V
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package Width9.35(Max)
QualificationAEC-Q101
Package / CaseTO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB
Package Length10.4(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyMDmesh V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature150°C(TJ)
Standard Package NameTO-263
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 26.5A, 10V
SVHC Exceeds ThresholdYes
Особенностиавтомобильные приложения
Power Dissipation (Max)250W(Tc)
Supplier Device PackageTO-263(D2PAK)
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Maximum Power Dissipation (mW)250000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)95@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±25
Maximum Drain Source Voltage (V)300
Maximum Gate Threshold Voltage (V)5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4240 pF @ 100 V
Maximum Continuous Drain Current (A)53
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)4240@100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)40@10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C53A(Tc)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А53
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт250
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация