STB45N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В 35A 210Вт 0,078Ом D Pak
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067317141
- Артикул
- STB45N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 9.35mm
- Series
- MDmesh M5
Цена по запросу
(от 700 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для работы с топологиями PFC и PWM высокой мощности. Основные xарактеристики включают низкие потери при включении на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 9.35mm |
| Series | MDmesh M5 |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.62 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 208 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 210 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 710 V |
| Id - Continuous Drain Current | 35 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 78 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 78 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |