STB45N60DM2AG,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001653699
- Артикул
- STB45N60DM2AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Grade
- Automotive
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 1 800 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 600 В 34 А (Tc) 250 Вт (Tc) для поверxностного монтажа TO-263 (D2PAK)
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.643 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 17A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 250W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-263(D2PAK) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.085 Ом |