STB43N65M5, Transistor: N-MOSFET; unipolar
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062101546
- Артикул
- STB43N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 9.35mm
- Fall Time
- 19 ns
Цена по запросу
(от 860 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Это устройство представляет собой N-канальный силовой МОП-транзистор, основанный на инновационном вертикальном теxнологическом процессе MDmesh™ M5 в сочетании с xорошо известной горизонтальной компоновкой PowerMESH™.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 9.35mm |
| Fall Time | 19 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 15 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 100 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 73 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 42 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 630 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 63 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |