STB43N65M5, MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006262938
- Артикул
- STB43N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 9.35mm
- Fall Time
- 19 ns
Цена по запросу
(от 1 032,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Это устройство представляет собой N-канальный силовой МОП-транзистор, основанный на инновационном вертикальном теxнологическом процессе MDmesh™ M5 в сочетании с xорошо известной горизонтальной компоновкой PowerMESH™.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 9.35mm |
| Fall Time | 19 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 15 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 2.24 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 100 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 73 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 42 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 630 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 63 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -25 V, +25 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.058 Ом |