STB42N60M2-EP, D2PAK MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062299704
- Артикул
- STB42N60M2-EP
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1.61
- Серия
- STB42N60M2-EP
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 250Вт
Цена по запросу
(от 688,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power МОП-транзистор in a D2PAK package
Технические параметры
| Вес, г | 1.61 |
| Серия | STB42N60M2-EP |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 8 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 55 nC |
| Время нарастания | 9.5 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.076Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh M2 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 34А |
| Рассеиваемая Мощность | 250Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 34 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 87 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 96.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.076Ом |