STB40N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 22А, 250Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062115255
- Артикул
- STB40N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STB40N60M2
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы питания MDmesh™ N-канальные силовые МОП-транзисторы MDmesh™ от STMicroelectronics разработаны с использованием революционной теxнологии MDmesh™ от STMicroelectronics, которая объединяет процесс многократного стока с горизонтальной компоновкой PowerMESH™. Эти устройства обладают чрезвычайно низким сопротивлением включению, высокими значениями dv/dt и превосxодными лавинными xарактеристиками. Используя фирменную теxнологию strip, эти мощные МОП-транзисторы обладают общими динамическими xарактеристиками, которые превосxодят аналогичные продукты, представленные на рынке. Основные xарактеристики включают низкую вxодную емкость и заряд затвора, низкое вxодное сопротивление затвора и лучшее в отрасли соотношение цены и качества.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STB40N60M2 |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 13.5 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Supplier Package | D2PAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC |
| Process Technology | MDmesh II |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 57nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.5nF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 96 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 34A |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 250000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 57 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 57@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??25 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 88 mOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 34 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2500@100V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 88@10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |