STB38N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 19А, 190Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062535658
- Артикул
- STB38N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 9.35mm
- Series
- MDmesh M5
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.03
Цена по запросу
(от 685,02 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для работы с топологиями PFC и PWM высокой мощности. Основные xарактеристики включают низкие потери при включении на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора.
Технические параметры
| Width | 9.35mm |
| Series | MDmesh M5 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 710 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 95 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |