Моя заявка (0)

SIC N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V, 3-PIn D2PAK STMIcroelectronIcs STB37N60DM2AG

SIC N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V, 3-PIn D2PAK STMIcroelectronIcs STB37N60DM2AG

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064009291
Артикул
STB37N60DM2AG
Бренд
STMicroelectronics
Type:
High Voltage
Brand:
STMicroelectronics
Series
STB37N60
Series:
STB37N60DM2AG
Цена по запросу
(от 780 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Type:High Voltage
Brand:STMicroelectronics
SeriesSTB37N60
Series:STB37N60DM2AG
Product:Power MOSFETs
Pin Count3
Fall Time:10.7 ns
Rise Time:17 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:54 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSiC
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:210 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:21.2 ns
Maximum Drain Source Voltage600 V
Typical Turn-Off Delay Time:68 ns
Id - Continuous Drain Current:28 A
Maximum Gate Threshold Voltage4.9V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.094 Ω
Maximum Continuous Drain Current28 A
Rds On - Drain-Source Resistance:110 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация