STB37N60 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB37N60DM2AG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026520637
- Артикул
- STB37N60DM2AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- High Voltage
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- STB37N60
- Series:
- STB37N60DM2AG
Цена по запросу
(от 1 690,15 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтный N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics относится к серии диодов с быстрым восстановлением MDmesh™ DM2.
Технические параметры
| Type: | High Voltage |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | STB37N60 |
| Series: | STB37N60DM2AG |
| Product: | Power MOSFETs |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 10.7 ns |
| Rise Time: | 17 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 210 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21.2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 68 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.9V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.094 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |