Моя заявка (0)

STB34NM60ND, 600V 29A 110m @10V 190W 5V@250uA 1 N-Channel TO-263 MOSFETs ROHS

STB34NM60ND, 600V 29A 110m @10V 190W 5V@250uA 1 N-Channel TO-263 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048218156
Артикул
STB34NM60ND
Бренд
STMicroelectronics
Series
FDmeshв(ў II
FET Type
N-Channel
Packaging
Tape & Reel(TR)
Vgs (Max)
В±25V
Цена по запросу
(от 604,78 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 600 В, 0,097 Ом, 29 А силовой МОП-транзистор FDmesh(TM) II (с быстродействующим диодом) D2PAK

Технические параметры

SeriesFDmeshв(ў II
FET TypeN-Channel
PackagingTape & Reel(TR)
Vgs (Max)В±25V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.01
Part StatusActive
ManufacturerSTMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Standard Package1
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250ВµA
Operating Temperature150В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs110 mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max)190W(Tc)
Supplier Device PackageD2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2785pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C29A(Tc)

Техническая документация