STB33N65M2, 650V 24A 140mOhm@10V,12A 190W 4V 1 N-channel TO-263-3(D2PAK) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073824393
- Артикул
- STB33N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 11.5 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 410 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мдмеш™ II Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 600 и 650 В серии MDmesh™ M2 с суперпереxодами оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RDS (on), зарядом затвора (Qg) и собственной емкостью (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 11.5 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 41.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 72.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 140 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |