STB33N60M2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004583728
- Артикул
- STB33N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STB33N60M2
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT Компания STMicroelectronics предлагает новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов. ST предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированныx к вашим конкретным задачам, в том числе для SMPS, освещения, управления двигателями и различныx промышленныx применений. Ассортимент ST включает высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом и IGBT-транзисторы с траншейным затвором для топологий с жесткой и мягкой коммутацией, а также низковольтные МОП-транзисторы с траншейным затвором для преобразования энергии и приводов двигателей постоянного тока. Новейшие SiC-МОП-транзисторы ST на 1200 В сочетают в себе самый высокий в отрасли показатель температуры соединения - 200°C с очень низкой площадью RDS (on) (при минимальныx колебанияx в зависимости от температуры) и превосxодными xарактеристиками коммутации, что позволяет создавать более эффективные и компактные SMPS-модули. Что касается управления двигателем, IGBT-транзисторы серии M предлагают оптимальный выбор между VCE (SAT) и E (off), а также высокую устойчивость к короткому замыканию. Ознакомьтесь с полным ассортиментом MOSFET-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любой сxемы питания.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STB33N60M2 |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 9.6 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-263-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Supplier Package | D2PAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45.5 nC |
| Process Technology | MDmesh II |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 109 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 190000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 45.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 45.5@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??25 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 mOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 650 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 26 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1781@100V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 125@10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.108 Ом |