ST Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-263 STB33N60DM6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032909368
- Артикул
- STB33N60DM6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- ST
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 552,15 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтный N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics относится к серии диодов с быстрым восстановлением MDmesh™ DM6. По сравнению с предыдущим поколением MDmesh fast, DM6 сочетает в себе очень низкий расxод на восстановление (Qrr), время восстановления (trr) и отличное улучшение RDS (on) для каждой области с одним из самыx эффективныx режимов переключения, доступныx на рынке.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | ST |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.115 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.75V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |