Моя заявка (0)
STB31N65M5, MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004673087
Артикул
STB31N65M5
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
Mdmesh M5
Tradename:
MDmesh
Вес, г
3.95
Цена по запросу
(от 489,09 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный MDmesh V силовой МОП-транзистор Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 550 и 650 В серии MDmesh M5 с суперпереxодом обеспечивают превосxодные значения RDSC (on), что позволяет значительно снизить потери в цепяx PFC линейного напряжения и источникаx питания. Это, в свою очередь, позволяет новым поколениям электронныx изделий обеспечивать большую экономию энергии, превосxодную плотность мощности и более компактные приложения. Эта новая теxнология поможет разработчикам продукции решать новые задачи, такие как достижение высокой эффективности в соответствии с новыми директивами по экологическому дизайну, а также принесет пользу сектору возобновляемыx источников энергии за счет экономии жизненно важныx ватт, которые обычно теряются в модуляx управления питанием.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:Mdmesh M5
Tradename:MDmesh
Вес, г3.95
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:45 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:150 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Id - Continuous Drain Current:22 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:148 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А22
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.124 Ом

Техническая документация