STB30NF20L,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 30 A, 0.066 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046382898
- Артикул
- STB30NF20L
- Бренд
- STMicroelectronics
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- SVHC
- Yes
Цена по запросу
(от 478 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| SVHC | Yes |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1.38 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | TO-263 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 9.35(Max) |
| Package Height | 4.6(Max) |
| Package Length | 10.4(Max) |
| EDA / CAD Models | STB30NF20L by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | STripFET |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 14 |
| Typical Rise Time (ns) | 12 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 65 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 65@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 68 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 30 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1990@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 75@5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.066 Ом |