STB30N80K5,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012980441
- Артикул
- STB30N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1.38
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 1 900 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Вес, г | 1.38 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 43 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 180 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.15 Ом |