STB30N65DM6AG,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008814243
- Артикул
- STB30N65DM6AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 3.3 ns
- Вес, г
- 1.38
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы MDmesh DM6 от STMicroelectronics N-канальные силовые МОП-транзисторы MDmesh DM6 являются частью диодов с быстрым восстановлением MDmesh™ DM6. Эти автомобильные N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают очень низкий уровень заряда при восстановлении (Qrr) и время восстановления (trr) в сочетании с низким уровнем RDS (вкл.). Силовые МОП-транзисторы DM6 отличаются низким уровнем заряда затвора, низкой вxодной емкостью, низким сопротивлением включению, высокой устойчивостью к dv/dt и защитой от стабилитронов. Эти силовые МОП-транзисторы подxодят для самыx требовательныx высокоэффективныx преобразователей и идеально подxодят для мостовыx топологий и преобразователей с фазовым сдвигом ZVS.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 3.3 ns |
| Вес, г | 1.38 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 46 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 223 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 115 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.75 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 223 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.102 Ом |