Моя заявка (0)

STB28NM60ND, Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

STB28NM60ND, Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070493528
Артикул
STB28NM60ND
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 820 ₽)
Минимальный заказ: 37 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 600V 23A 3-контактный (2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width9.35(Max)
Package Length10.4(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyFDmesh
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-263
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)27
Typical Rise Time (ns)21.5
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)190000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)62.5
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)62.5@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±25
Typical Turn-On Delay Time (ns)23.5
Maximum Drain Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)92
Maximum Gate Threshold Voltage (V)5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)23
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2090@10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)150@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А23
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация