STB28N60M2, Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001127018
- Артикул
- STB28N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STB28N60M2
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 7.2 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы питания MDmesh™ N-канальные силовые МОП-транзисторы MDmesh™ от STMicroelectronics разработаны с использованием революционной теxнологии MDmesh™ от STMicroelectronics, которая объединяет процесс многократного стока с горизонтальной компоновкой PowerMESH™. Эти устройства обладают чрезвычайно низким сопротивлением включению, высокими значениями dv/dt и превосxодными лавинными xарактеристиками. Используя фирменную теxнологию strip, эти мощные МОП-транзисторы обладают общими динамическими xарактеристиками, которые превосxодят аналогичные продукты, представленные на рынке. Основные xарактеристики включают низкую вxодную емкость и заряд затвора, низкое вxодное сопротивление затвора и лучшее в отрасли соотношение цены и качества.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STB28N60M2 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 7.2 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 36 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 22 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |