Моя заявка (0)

STB27NM60ND, Trans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

STB27NM60ND, Trans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001269200
Артикул
STB27NM60ND
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
EU RoHS
Compliant with Exemption
Military
No
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 1 140 ₽)
Минимальный заказ: 27 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

TabTab
EU RoHSCompliant with Exemption
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width9.35(Max)
Package Height4.6(Max)
Package Length10.4(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
СтруктураN-Channel
AEC Qualified NumberAEC-Q101
Standard Package NameTO-263
Typical Fall Time (ns)40
Typical Rise Time (ns)30
Особенностиавтомобильные приложения
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)160000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)80
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)80@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±25
Typical Turn-On Delay Time (ns)60
Maximum Drain Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)50
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)21
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2400@50V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)160@10V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А21
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация