STB270N4F3, MOSFETs N-Channel 40V Pwr Mosfet
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827800
- Артикул
- STB270N4F3
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 9.35 mm
- Brand:
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 422,20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 9.35 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Height | 4.6 mm |
| Length | 10.4 mm |
| Series | N-channel STripFET |
| Series: | STB270N4F3 |
| Fall Time | 45 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 180 ns |
| Fall Time: | 45 ns |
| Rise Time: | 180 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 3.95 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 150 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 330 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 330 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 110 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 160 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 160 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 330 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |