Моя заявка (0)
STB24NM60N, MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004827797
Артикул
STB24NM60N
Бренд
STMicroelectronics
Width
10.4mm
Series
MDmesh
Pin Count
3
Вес, г
4
Цена по запросу
(от 832 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

Технические параметры

Width10.4mm
SeriesMDmesh
Pin Count3
Вес, г4
СерияSTB24NM60N
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада37 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation125 W
Typical Gate Charge @ Vgs46 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-263-3
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора46 nC
Maximum Drain Source Resistance190 mΩ
Время нарастания16.5 ns
Maximum Continuous Drain Current17 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности125 W
Id - непрерывный ток утечки17 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток168 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе1…2
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А17
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.168 Ом

Техническая документация