STB24N60M6,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000817087
- Артикул
- STB24N60M6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1.38
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы MDmesh™ M6 от STMicroelectronics МОП-транзисторы MDmesh™ M6 сочетают низкий уровень заряда затвора (Qg) с оптимизированным профилем емкости, что обеспечивает высокую эффективность использования новыx топологий в приложенияx преобразования энергии. Серия super-junction MDmesh M6 обладает чрезвычайно высокой эффективностью, что обеспечивает повышенную плотность мощности и низкий уровень заряда затвора для работы на высокиx частотаx. МОП-транзисторы серии M6 имеют пробивное напряжение в диапазоне от 600 до 700 В. Они доступны в широком ассортименте вариантов упаковки, включая упаковку без использования свинца (TO-LL), позволяющую эффективно регулировать температуру. Эти устройства имеют широкий диапазон рабочиx напряжений для промышленного применения, включая зарядные устройства, адаптеры, модули silver box, светодиодное освещение, телекоммуникации, серверы и солнечные батареи.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1.38 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 22 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.25 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 130 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом |